特許
J-GLOBAL ID:200903072231509077

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-213386
公開番号(公開出願番号):特開2002-026345
出願日: 2000年07月10日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】太陽電池の裏面側電極において、半田付け性が良好で、かつ電気的特性の優れた太陽電池を得ること。【解決手段】バイフェイシャル型太陽電池、あるいは裏面接続型太陽電池においてその裏面側p接続電極では、先行して形成されるp接続集電用細線511およびp接続主電極(A)512と、その後配置されるp接続主電極(B)513との重なり合う面積より、p接続主電極(B)513が直接半導体基板に接する面積を必ず大きくなるようにしたことにより、p接続主電極(B)513は半導体基板およびp接続主電極(A)512との接着性が良好で、かつp接続主電極(B)513はp接続主電極(A)512との電気的接合が良好で、さらに太陽電池を半田付けする際の半田付け性の優れた太陽電池を得ることができた。
請求項(抜粋):
p型半導体基板と、該基板の一面に該基板とは異なる導電性を有する半導体層と、該半導体層の上に配置された上部電極と、該基板の他の一面に該基板に接して配置されたp接続集電用細線と第1のp接続主電極とを備えた下部電極と、該下部電極の上に配置された第2のp接続主電極とを有し、かつ、該第2のp接続主電極の該基板に接する面積が、該第1のp接続主電極と該第2のp接続主電極とが重なる面積より大きいことを特徴とする太陽電池。
Fターム (10件):
5F051AA02 ,  5F051BA17 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04

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