特許
J-GLOBAL ID：200903072235332384
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025236
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235638
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高容量化および高集積化が容易なコンデンサを備えた半導体装置を提供すること。【構成】表面に酸化膜22とポリシリコン膜23とを順次形成した半導体基板211 と、表面にポリシリコン膜23を形成した半導体基板212 とを直接接着法により一体化したものであって、酸化膜24に達する半導体基板212 に形成された素子分離用のトレンチ溝と、このトレンチ溝の側壁に形成された側壁酸化膜25と、ポリシリコン膜23に達し、側壁に側壁酸化膜25が形成されたトレンチ溝と、このトレンチ溝内を充填するポリシリコン膜27と、このポリシリコン膜27に設けられたAl電極29とを備えている。
請求項（抜粋）：
部分的に薄く形成された薄膜部分を含む埋込み絶縁膜が挿設された半導体基板と、この半導体基板内に設けられ、前記埋込み絶縁膜上に形成された導電膜と、この導体膜を介して前記埋込み絶縁膜に達し、且つ前記埋込み絶縁膜の薄膜部分を囲むように、前記半導体基板の表面に形成された素子分離領域と、前記埋込み絶縁膜の薄膜部分上の前記導電膜に電気的に接続する電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/762
, H01L 27/12
H01L 27/04 C
, H01L 21/76 D
