特許

J-GLOBAL ID：200903072238695348

プラズマ処理装置及び処理方法、並びに半導体装置の製造方法

発明者： 足立 研 ,  堀内 悟志 ,  幸本 徹哉 ,  川浦 廣
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  株式会社シー・ヴィ・リサーチ
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-302345
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110565
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理装置において、チャンバ内壁のセルフクリーニング、又はプリコート等のプラズマ処理を効率良く行えるようにする。【解決手段】 プラズマ発生源2と、プラズマ発生源2に配置された複数の磁場発生手段7a、7bと、各磁場発生手段7a、7bの磁場を夫々独立に制御する磁場制御手段14a14bを有し、磁場制御手段14a14bは、少なくとも磁場の向きを反転させる機能を有して成る。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生源と、チャンバの外側に配置された複数の磁場発生手段と、前記各磁場発生手段の磁場を夫々独立に制御する磁場制御手段を有し、前記磁場制御手段は、少なくとも磁場の向きを反転させる機能を有して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 B

Fターム (19件)：

4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004BA11 ,  5F004BB08 ,  5F004CA09 ,  5F004DB00 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH16 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19