特許
J-GLOBAL ID：200903072240499262
シリコン膜の成長方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029614
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224127
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 窪みのある部分を含めて広い面積に均一に炭素およびゲルマニウムをともに含むシリコンエピタキシャル膜を成長する。【構成】 シリコンを含むガスおよび炭素を含むガスおよびゲルマニウムを含むガスを同時にシリコン基板表面上に照射することによって、炭素およびゲルマニウムをともに含んだシリコンエピタキシャル膜をシリコン上に成長する。
請求項（抜粋）：
シリコン原子を含むガス状原料および炭素原子を含むガス状原料およびゲルマニウム原子を含むガス状原料を用いて炭素およびゲルマニウムを含むシリコン膜を成長させることを特徴とするシリコン膜の成長方法。
引用特許：
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