特許
J-GLOBAL ID：200903072242437760
ドライエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115593
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295993
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 高誘電体膜SrTiO3 膜を微細加工【構成】 下地絶縁膜1上に形成したSrTiO3 膜2をレジスト3をマスクに、C1系ガスまたはBr系にSF6 ,CF4 などのF系のガスを添加した混合ガスを用いて、低圧力、高密度プラズマ下でエッチングする。残渣を生じること無く、異方的にサブミクロン以下の形状を加工することができる。また、エッチング中で発生した側壁膜4は、エッチングマスク3を除去する前に、氷酢酸のヨウ素液と硝酸とフッ酸の混合溶液にて除去し、その後、エッチングマスクを除去することで、パターニングされたSrTiO3 膜のみを残す。
請求項（抜粋）：
高誘電体SrTiO3 のドライエッチング工程に於いて、C1系ガスまたはBr系ガスを用いて、プラズマエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/302
, H01L 27/04
, H01L 39/24 ZAA
