特許

J-GLOBAL ID：200903072245121608

プラズマ処理方法

発明者： 新井 泉 ,  西川 浩 ,  田原 好文 ,  三田野 好伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346196
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338476
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 処理室内のプラズマ雰囲気下で半導体ウエハに対してエッチング処理を施す場合に、半導体ウエハのチャージアップを防止するとともに、エッチングレートを向上させる。【構成】 基本波を発生する発振器G1と、その周波数の整数倍波を発生する発振器G2〜Gnと、さらに各発振器G1〜Gnに対応する可変減衰器A1〜Anを用いて、これらの出力波形を合成させて周波数変調を行い、下部電極であるサセプタ55に印加させる。出力波形によって、プラズマ解離段階の進行を制御して過剰な入射イオンの生成を防止し、さらに入射イオンの加速の制御も行える。

請求項（抜粋）：

高周波電力によって処理室内にプラズマを発生させ、当該処理室内の被処理体に対して前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す方法において、前記高周波電力に低周波電力による周波数変調を加えたことを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00