特許
J-GLOBAL ID：200903072248078231
半導体デバイスのターミネーション構造およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305443
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172175
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 デバイスの周辺部における降伏を防止する半導体デバイスのターミネーション構造およびその構造を形成する方法を開示する。【解決手段】 このターミネーション構造は、フィールド酸化物領域の一部分上にある多結晶シリコンフィールドプレートを含み、これはベース領域の一部に重なるのが好ましい。このフィールドプレートは、フィールド酸化物テーパーの角をとるためにフィールド酸化物のエッジ上で少し延在してよい。このターミネーション構造は、チップの最小限の面積を占め、追加のマスキング工程を必要としないで形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスのターミネーション構造を形成する方法であって、シリコン基板の上にフィールド絶縁材料の層を形成する工程、フィールド絶縁材料の上記層の少なくとも1つの選択された領域にパターン形成およびエッチング除去を行って、フィールド絶縁材料の上記層内の少なくとも1つの開口部および少なくとも1つの残留部分を形成する工程、フィールド絶縁材料の上記層内の上記少なくとも1つの開口部内およびフィールド絶縁材料の上記層の上記残留部分の上に多結晶シリコンの層を付着させる工程、多結晶シリコンの上記層の選択された部分にパターン形成およびエッチング除去を行って多結晶シリコンの上記層内に間隔を隔てて離れた複数の開口部を形成する工程(各開口部は、フィールド絶縁材料の上記層の上記少なくとも1つの開口部に形成され、また、フィールド絶縁材料の上記層の上記残留部分に隣接する少なくともそれぞれの第1部分を有し、フィールド絶縁材料の上記層の上に位置する多結晶シリコンの上記層の一部分は多結晶シリコンフィールドプレートを規定する)、多結晶シリコンの上記層内の上記複数の開口部の上記それぞれの第1部分の下に位置する上記シリコン基板の表面領域内に第1伝導形の不純物を導入して第1拡散領域を形成する工程、上記シリコン基板のそのようにした表面領域内に上記第1伝導形と反対の伝導形の第2伝導形の不純物を導入して第2拡散領域(上記第1拡散領域は上記第2拡散領域より深くて広い)を形成する工程、上を覆う絶縁層を付着させる工程、上記上を覆う絶縁層の選択された部分にパターン形成およびエッチング除去を行って、上記多結晶シリコンフィールドプレートである下に位置する表面領域を露出させる第1開口部、および上記シリコン基板の上記表面領域であるそれぞれの下に位置するエリアを露出させる第2開口部を形成する工程、上記上を覆う絶縁層の上ならびに上記多結晶シリコンフィールドプレートである下に位置する表面領域および上記シリコン基板の上記表面領域である上記下に位置するエリアの上に導電層を付着する工程、ならびに、上記導電層の一部分にパターン形成およびエッチング除去を行って、上記多結晶シリコンフィールドプレートに接触する少なくとも1つの電極および上記シリコン基板の上記表面領域の上記下に位置するエリアに接触する少なくとも1つの電極を形成する工程を含んで成る方法。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 301 X
