特許
J-GLOBAL ID：200903072252119899
プラズマ励起CVDによるシリコンオキシナイトライド膜の堆積方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319916
公開番号（公開出願番号）：特開平8-003749
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、アンモニアを基礎とする化学を用いずに、低い処理温度にてシリコンオキシナイトライド膜を生成する方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコンオキシナイトライドを形成する改良方法は、250°Cより低い堆積温度で、シラン、亜酸化窒素及び窒素の反応体ガス混合物を利用し、これらをガス流入マニホールドを介して流す。多くの場合は、ガス流入マニホールドもプラズマ励起CVDチャンバ内の電極である。ガス流入マニホールドは、反応体ガスをチャンバ内に流通させるための、平行板プラズマチャンバの1枚の板である。この板は複数の開口を有し、各開口はチャンバ側ないし板の処理側に出口と、処理側から離れた入口とを備え、ガスの解離度と反応性とを高めるために、この出口は入口よりも大きくなっている。
請求項（抜粋）：
実質的にアンモニア非含有である反応体ガス混合物を用いて、250°C未満の堆積温度でシリコンオキシナイトライド膜を基板上に堆積する堆積方法。
IPC (4件)：
C23C 16/34
, C01B 21/068
, C01B 21/082
, C23C 16/50
