特許
J-GLOBAL ID：200903072252539634
半導体ウエハのダイシング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235252
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074932
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハのダイシングに関し、欠けの発生を抑制することを目的とする。【構成】 多数の素子をマトリックス状に形成した半導体ウエハをダイヤモンドブレードを用いて多数のチップに分割する際に、先ず、ダイヤモンドブレードを用いてダイシングを行い、ウエハの厚さ方向に部分的な残部を残して切削を行ってウエハ上に複数の溝を横方向と縦方向に形成した後、幅がダイヤモンドブレードと同じか或いは狭い樹脂ブレードを用い、送り速度を先よりも遅くして、この溝に沿って切削を行ってウエハを切断することを特徴として半導体ウエハのダイシング方法を構成する。
請求項（抜粋）：
多数の素子をマトリックス状に形成した半導体ウエハをダイヤモンドブレードを用いて多数のチップに分割する際に、先ず、ダイヤモンドブレードを用いてダイシングを行い、ウエハの厚さ方向に部分的な残部を残して切削を行って該ウエハ上に複数の溝を横方向と縦方向に形成した後、幅が前記ダイヤモンドブレードと同じか或いは狭い樹脂ブレードを用い、送り速度を前者より遅く保ちつゝ該溝に沿って切削を行ってウエハを切断することを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。
引用特許：
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