特許
J-GLOBAL ID:200903072253294147

薄膜圧電共振器、高周波回路実装体及び薄膜圧電共振器の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-282420
公開番号(公開出願番号):特開2006-101005
出願日: 2004年09月28日
公開日(公表日): 2006年04月13日
要約:
【課題】 素子基板を貫通するキャビティを備えた薄膜圧電共振器において、実装後の耐熱性及び長期信頼性を著しく向上させることができる薄膜圧電共振器、この薄膜圧電共振器を実装した高周波回路実装体、及び薄膜圧電共振器の製造方法を提供する。【解決手段】 素子基板11と、この素子基板11中に設けられ、この素子基板11を貫通するキャビティ16に底部を露出した下部電極13と、この下部電極13上の圧電体膜14と、この圧電体膜14上の上部電極15とを備える薄膜圧電共振器であって、キャビティ16と上部電極15との間に気体流路を有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
素子基板と、該素子基板を貫通するキャビティに底部を露出した下部電極と、該下部電極上の圧電体膜と、該圧電体膜上の上部電極とを備える薄膜圧電共振器であって、 前記キャビティと前記上部電極との間に気体流路が設けられたことを特徴とする薄膜圧電共振器。
IPC (2件):
H03H 9/17 ,  H03H 3/02
FI (2件):
H03H9/17 F ,  H03H3/02 B
Fターム (7件):
5J108AA07 ,  5J108CC11 ,  5J108DD06 ,  5J108EE03 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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