特許
J-GLOBAL ID：200903072254690852
多層配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204488
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055424
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 自己整合コンタクト(SAC)形成において、コンタクト・ホール14開口時のオフセットSiOx膜6や第1サイドウォール7の削れを防止し、中層配線と上層配線とを隔てる絶縁膜の絶縁耐圧を確保する。【解決手段】 層間絶縁膜10にコンタクト・ホール14を開口する際のエッチング停止膜として、不純物含有ポリシリコン膜9を用いる。エッチング停止膜としてSixNy膜を用いた従来例と比べ、層間絶縁膜10と不純物含有ポリシリコン膜9の異方性エッチング時の下地選択性が向上する。エッチング終了後は、導電性を有する不純物含有ポリシリコン膜9の加工端面9aを覆うごとくSiOx膜からなるサイドウォール状の封止パターン15aを形成し、後工程でコンタクト・ホール14に埋め込まれるビット線引出し電極との間の導通を防止する。
請求項（抜粋）：
隣接する2本の中層配線の配線間スペースにおいて下層配線と上層配線との間の導通をとる多層配線の形成方法であって、前記中層配線上にこれと共通パターンにてオフセット絶縁膜を形成する第1工程と、前記中層配線と前記オフセット絶縁膜からなるパターンの側壁面に絶縁性の第1サイドウォールを形成する第2工程と、基体の全面を被覆して導電材料よりなるエッチング停止膜をコンフォーマルに成膜する第3工程と、前記エッチング停止膜上に層間絶縁膜を略平坦に成膜する第4工程と、前記配線間スペースを包含する領域内で前記層間絶縁膜を選択的に異方性エッチングする第5工程と、前記領域内に露出したエッチング停止膜を選択的に除去して接続孔を形成する第6工程と、少なくとも前記エッチング停止膜の加工端面を絶縁性の封止パターンで被覆する第7工程と、前記接続孔を導電材料で被覆する第8工程とを有する多層配線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/90 D
, H01L 27/10 681 B
