特許

J-GLOBAL ID：200903072257402637

薄膜キャパシタおよびその製造方法

発明者： 米山 勝廣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229896
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053224
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】結晶性金属酸化物から成りかつ誘電体層を構成する薄膜を低い温度で形成するようにした薄膜キャパシタを提供することを目的とする。【解決手段】電極21を予め形成した絶縁基板20上にゾル・ゲル前駆体22の塗膜を形成し、波長が360nm以下の紫外光を照射して結晶化するとともに、結晶化されていない塗膜22を除去することによって誘電体層23を形成し、この誘電体層23と電極21、24とによって薄膜キャパシタを絶縁基板20上に形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成される薄膜キャパシタにおいて、前記薄膜キャパシタの誘電体層が光アシストゾル・ゲル法による無機酸化物薄膜から構成されることを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/01 301 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/01 301 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

Fターム (27件)：

5E082AB03 ,  5E082BC11 ,  5E082BC12 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE35 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG41 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM05 ,  5E082MM06 ,  5E082MM24 ,  5E082PP09 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20