はんだバンプの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322502
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181142
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体ウェーハにはんだをめっきで成長し、リフローによりはんだを球形状に成形するはんだバンプの製造方法に関し、高集積度のはんだバンプがショートしない方法を開発し、実装基板に装着するために必要な高さのバンプを形成する。【構成】はんだバンプ2を有する半導体ウェーハ1を、はんだバンプ2の面を下にしてリフローし、そのまま冷却してはんだバンプ2を球形に成形する。また、リフローの際、半導体ウェーハ1を超音波により振動させる。或いは、回転する垂直軸に平行にはんだバンプ2を有する半導体ウェーハ1を立てて保持し、垂直軸を高速回転してはんだバンプ2の面に遠心力を掛けてからリフローし、そのまま冷却してはんだバンプ2を球形に成形する。

請求項（抜粋）：

はんだバンプを有する半導体ウェーハを、該はんだバンプの面を下にしてリフロー加熱を行い、そのまま冷却して該はんだバンプを球形に成形することを特徴とするはんだバンプの製造方法。

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