特許
J-GLOBAL ID:200903072261707574

半導体基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 哲夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-341948
公開番号(公開出願番号):特開平11-162927
出願日: 1997年11月28日
公開日(公表日): 1999年06月18日
要約:
【要約】【課題】 エッチング液を半導体基板2の全面に均一に分布させ、エッチングむらの発生を防止する。【解決手段】 半導体基板処理装置は、半導体基板2を浮上させた状態で支持する支持手段3と、エッチング液供給手段4と、支持手段3を回転させる駆動手段と、を備える。上記エッチング液供給手段4は、その端部にエッチング液噴出部11を設けている。そして、このエッチング液噴出部11から噴出されるエッチング液を、支持手段3の回転に伴う遠心力に基づいて、この支持手段3とともに回転する半導体基板2の上記面に供給する。特に、エッチング液供給手段4から噴出するエッチング液を上記半導体基板2の上記面に均一に行き渡らせるための調整手段10を設ける。
請求項(抜粋):
半導体基板を浮上させた状態で支持する支持手段と、この支持手段に対向した状態で設けられた薬液供給手段と、上記半導体基板を支持した状態で上記支持手段を回転させる駆動手段と、を備え、上記薬液供給手段は、その端部に薬液噴出部を設けて成り、この薬液噴出部から噴出される薬液を、支持手段の回転に伴う遠心力に基づいて、この支持手段とともに回転する半導体基板の上面に供給する、半導体基板処理装置において、上記薬液供給手段に、この薬液供給手段から噴出する薬液を上記半導体基板の上面に均一に行き渡らせるための調整手段を設けたことを特徴とする、半導体基板処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341
FI (2件):
H01L 21/306 J ,  H01L 21/304 341 N

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