特許
J-GLOBAL ID：200903072263227219
スパッタリング電極
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200763
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041736
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 近年、半導体プロセスや電子部品材料等の製造工程に使用されているスパッタリング装置に搭載されるスパッタリング電極において、形成される薄膜の基板面内,バッチ間における膜厚および膜質の均一性を向上し、またターゲットの利用効率の向上、さらには強磁性材料ターゲットの高速かつ効率的なスパッタリングを提供することを目的とする。【構成】 磁場発生用の磁気回路15が矩形平板ターゲット表面の前方側面の左右2か所(左側磁気回路151,右側磁気回路152)に該ターゲット1の長軸に方向に配置されている。左側磁気回路151および対向する位置にある右側磁気回路152は永久磁石の小片18を片側で8個、となり合う該永久磁石18の極性が逆転するように構成され、左右間でN極からS極へと磁力線16が通るように配置されている。以上のような構成により、形成される薄膜の基板面内,バッチ間における膜厚および膜質の均一性を向上できる。
請求項（抜粋）：
矩形平板ターゲットを有し、前記ターゲットの表面を平行に磁力線が通るように磁石を配置したスパッタリング電極において、前記ターゲットの表面を水平に通る磁力線の強さが前記ターゲットの中心線に対し、左右対称で該磁力線の方向が反対であるように磁石を配置したことを特徴とするスパッタリング電極。
引用特許：
前のページに戻る
