特許

J-GLOBAL ID：200903072263772047

半導体受光素子、半導体受光素子の製造方法および受光素子モジュール

発明者： 古川 量三 ,  加藤 昌伸
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245116
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077702
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 素子の構造上および動作特性上の信頼性が向上する、製造が容易で、製造コストが安価な、しかも、長波長側の光を確実に光電変換して出力できる。【解決手段】 第1導電型の基板11の第1主表面11a側に、第1光吸収層13、第2導電型のバッファ層15、第2導電型の第2光吸収層17および第2導電型のウィンド層19とをこの順に積層して具え、第1光吸収層は第1導電型の領域13xと第2導電型の領域13yとを含み、ウィンド層の一部の領域に、ウィンド層の上面からウィンド層と第2光吸収層との境界に達する深さを有する第1導電型の拡散領域21を具え、該拡散領域上に第1導電型主電極23を具え、拡散領域の周囲のウィンド層上に第2導電型主電極25を具えていて、第2光吸収層のエネルギーギャップ波長が、第1光吸収層13のエネルギーギャップ波長よりも長く、かつ第1光吸収層のエネルギーギャップ波長が、基板、バッファ層およびウィンド層のそれぞれのエネルギーギャップ波長よりも長い。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板の第1主表面に、第1光吸収層、第2導電型のバッファ層、第2導電型の第2光吸収層および第2導電型のウィンド層とを順次に積層させて具え、前記第1光吸収層は、基板側から順に積層されて設けられた、第1導電型の領域と第2導電型の領域とを含み、前記ウィンド層の一部の領域に、該ウィンド層の上面から該ウィンド層と前記第2光吸収層との境界に達する深さを有する第1導電型の拡散領域を具え、該拡散領域上に、該拡散領域と電気的に接続する第1導電型主電極を具え、かつ前記拡散領域の周囲の前記ウィンド層上に、該ウィンド層と電気的に接続する第2導電型主電極を具えてなる半導体受光素子であって、前記第2光吸収層のエネルギーギャップ波長が、前記第1光吸収層のエネルギーギャップ波長よりも長く、かつ該第1光吸収層のエネルギーギャップ波長が、前記基板、バッファ層およびウィンド層のそれぞれのエネルギーギャップ波長よりも長いことを特徴とする半導体受光素子。

Fターム (22件)：

5F049AA03 ,  5F049AB07 ,  5F049AB12 ,  5F049BB01 ,  5F049CA03 ,  5F049CA04 ,  5F049CA09 ,  5F049DA02 ,  5F049DA03 ,  5F049DA06 ,  5F049DA07 ,  5F049DA17 ,  5F049DA18 ,  5F049EA01 ,  5F049GA04 ,  5F049HA03 ,  5F049HA06 ,  5F049HA12 ,  5F049JA12 ,  5F049JA13 ,  5F049JA14 ,  5F049LA01