特許

J-GLOBAL ID：200903072271484093

冬虫夏草の栽培方法

発明者： 稲冨 聡 ,  水野 正幸
出願人/特許権者： ホクト産業株式会社
代理人 (1件)： 田中 雅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248182
公開番号（公開出願番号）：特開2001-069850
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】大量の冬虫夏草を栽培しても胞子の発生量を極わずかに抑え、人体への胞子の影響もほとんど無く、栽培施設の汚染や機械の腐蝕、劣化や能力の低下も回避できる冬虫夏草の栽培方法の提供。【解決手段】殺菌した冬虫夏草栽培用培地に冬虫夏草菌を接種する工程、冬虫夏草菌を前記栽培用培地に蔓延させる培養工程、冬虫夏草を発生させる発芽工程、発生した冬虫夏草を1500ppm以上の炭酸ガス濃度を含有する栽培環境下で生育させる工程を経て栽培を行う。生育工程において、冬虫夏草栽培用培地の周辺に筒状の囲いを設けることにより該囲い内を炭酸ガス濃度を1500ppm以上の栽培環境とし、その囲いの中で冬虫夏草を発生させ生育させる。

請求項（抜粋）：

殺菌した冬虫夏草栽培用培地に冬虫夏草菌を接種する工程、冬虫夏草菌を前記栽培用培地に蔓延させる培養工程、冬虫夏草を発生させる発芽工程、発生した冬虫夏草を1500ppm以上の炭酸ガス濃度を含有する栽培環境下で生育させる生育工程を経て栽培することを特徴とする冬虫夏草の栽培方法。

IPC (6件)：

A01G 1/04 104 ,  A01G 1/04 101 ,  A01G 1/04 102 ,  A01G 7/02 ,  A61K 35/84 ,  C12N 1/14

FI (8件)：

A01G 1/04 104 A ,  A01G 1/04 101 ,  A01G 1/04 102 ,  A01G 7/02 ,  A61K 35/84 Z ,  C12N 1/14 G ,  C12N 1/14 H ,  A01G 1/04 A

Fターム (22件)：

2B011AA07 ,  2B011CA10 ,  2B011GA03 ,  2B011GA09 ,  2B022AA01 ,  2B022AB20 ,  2B022DA15 ,  4B065AA71X ,  4B065AC13 ,  4B065BA22 ,  4B065BB23 ,  4B065BC33 ,  4B065BC34 ,  4B065BC39 ,  4B065CA44 ,  4B065CA53 ,  4C088AA02 ,  4C088AD09 ,  4C088AD19 ,  4C088BA03 ,  4C088BA04 ,  4C088CA25

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 冬虫夏草の人工栽培方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-180683   出願人：ホクト産業株式会社
• 特開平3-297326
  

審査官引用 (2件)

• 冬虫夏草の人工栽培方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-180683   出願人：ホクト産業株式会社
• 特開平3-297326