特許

J-GLOBAL ID：200903072284786269

半導体用の高純度接着剤

発明者： 越部 茂
出願人/特許権者： 越部 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-112300
公開番号（公開出願番号）：特開2002-309221
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：

【要約】【課題】接着性、安定性及び作業性に優れるとともに、高密度半導体の耐湿性を大幅に向上できる高信頼性の接着剤を提供する。【解決手段】本発明は、高純度高密度煙霧シリカ(平均粒径5〜100nm、水溶性塩素量25ppm以下、嵩密度70g/リットル以上の特性を有する燃焼製法超微粒子シリカ)を0.5〜20重量%含有する半導体用接着剤である。又、最大粒径10μm以下、抽出水電気伝導度10μS/cm以下の特性を有する高純度微粒球状シリカを5〜80重量%含有することが好ましい。ベースとなる接着剤は柔軟性の接着剤、シリコーン系・柔軟エポキシ系・エラストマー系の接着剤より選択される少なくとも1種であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

平均粒径5nm以上100nm以下、水溶性塩素量25ppm以下、嵩密度75g/リットル以上の特性を有する疎水性煙霧シリカを0.5重量%以上20重量%以下含有する半導体用接着剤。

IPC (7件)：

C09J201/00 ,  C09J 9/00 ,  C09J 11/04 ,  C09J121/00 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04 ,  H01L 21/52

FI (7件)：

C09J201/00 ,  C09J 9/00 ,  C09J 11/04 ,  C09J121/00 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04 ,  H01L 21/52 E

Fターム (20件)：

4J040DA001 ,  4J040DB021 ,  4J040EC291 ,  4J040ED001 ,  4J040EF001 ,  4J040EG001 ,  4J040EK081 ,  4J040GA01 ,  4J040GA05 ,  4J040GA11 ,  4J040GA20 ,  4J040HA30 ,  4J040KA42 ,  4J040LA06 ,  4J040NA20 ,  5F047AA17 ,  5F047BA26 ,  5F047BA34 ,  5F047BA40 ,  5F047BB11