特許
J-GLOBAL ID：200903072286994195
レーザアニール装置およびその制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114304
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294289
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 シリコン等のアモルファス薄膜をアニールして結晶化させる際に、適正な条件で処理できるようにレーザ照射を適切に制御する。【解決手段】 結晶化薄膜9aの結晶配向性を配向計19で測定し、測定結果から判定手段20により照射されたレーザ光22の照射エネルギの過不足を判定し、調整装置21によりレーザ照射装置12の出力を調整する【効果】 レーザ光の照射エネルギの過不足がインライン中に判定でき、直ちに適切な操業条件(レーザ出力)に調整して歩留まりよく結晶化薄膜を製造できる。
請求項（抜粋）：
アモルファス薄膜にレーザ光を照射して該アモルファス薄膜を多結晶化させるレーザアニール装置の制御方法であって、結晶化された薄膜の結晶配向性を測定し、該測定結果からアモルファス薄膜に照射されたレーザ光の照射エネルギの過不足を判定し、該判定結果に基づいてレーザ出力を調整することを特徴とするレーザアニール装置の制御方法
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/268 T
, H01L 21/268 G
, H01L 21/20
