半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164686
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005701
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ダイシング工程を含む半導体装置の製造方法に関し、ダイシング後の工程におけるチッピングの発生を防止して、歩留りを良くすることを目的とする。【構成】半導体ウェハ1上の素子形成領域3を区画するストリート領域2のうち、スクライブラインSLの両側方にそれぞれ1又は複数の溝4,9を形成する工程と、前記スクライブラインSLに一致させて前記ストリート領域2にカッティング溝7を形成して前記半導体ウェハ1を前記素子形成領域3毎に分割すること工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ(1)上の素子形成領域(3)を区画するストリート領域(2)のうち、スクライブライン(SL)の両側方にそれぞれ1又は複数の溝(4,9)を形成する工程と、前記スクライブライン(SL)に一致させて前記ストリート領域(2)にカッティング溝(7)を形成して前記半導体ウェハ(1)を前記素子形成領域(3)毎に分割する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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