特許

J-GLOBAL ID：200903072287631126

半導体集積回路装置

発明者： 河路 幹規
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-328123
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177242
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体基体の外周側面における支持基板と半導体層との間の酸化絶縁膜の端面から素子形成領域の主面に到達する陽イオンの侵入を防止し、半導体集積回路装置の電気的信頼性を向上する。【構成】 支持基板2上に第1酸化絶縁膜3を介在して半導体層4が積層された積層構造の半導体基体1で構成され、前記半導体基体1の半導体層4にこの半導体層4の主面から深さ方向に向って前記第1酸化絶縁膜3に到達する溝8で周囲を規定された素子形成領域4Cが形成され、前記素子形成領域4Cが、前記第1酸化絶縁膜3、前記溝8内に埋め込まれた第2酸化絶縁膜9及び前記半導体層4の主面上に形成された第3酸化絶縁膜7で他の領域と電気的に分離される半導体集積回路装置であって、前記半導体基体1の外周側面における第1酸化絶縁膜3の端面上に陽イオンに対する非透過膜17A,20Aを設ける。

請求項（抜粋）：

支持基板上に第1酸化絶縁膜を介在して半導体層が積層された積層構造の半導体基体で構成され、前記半導体基体の半導体層にこの半導体層の主面から深さ方向に向って前記第1酸化絶縁膜に到達する溝で周囲を規定された素子形成領域が形成され、前記素子形成領域が、前記第1酸化絶縁膜、前記溝内に埋め込まれた第2酸化絶縁膜及び前記半導体層の主面上に形成された第3酸化絶縁膜で他の領域と電気的に分離される半導体集積回路装置であって、前記半導体基体の外周側面から露出する第1酸化絶縁膜の端面上に陽イオンに対する非透過膜が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/314 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 23/30 D ,  H01L 29/78 311 R