特許

J-GLOBAL ID：200903072288544987

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 国井 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181566
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012890
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 比較的低ドーズ量におけるイオンドーピングの制御性を改善して不純物濃度のばらつきを低減化する。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造する為、ゲート絶縁膜を間にしてゲート電極及び半導体薄膜の積層を絶縁基板17上に形成する工程と、この半導体薄膜に不純物を注入して薄膜トランジスタを形成する注入工程とを行なう。この注入工程では、不純物を含むドーパントガスの希釈ガスに対する混合比が0.1%未満に調製された原料ガスをイオン化し、そのまま質量分離をかけずに電界加速して半導体薄膜に照射する。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜を間にしてゲート電極及び半導体薄膜の積層を絶縁基板上に形成する工程と、該半導体薄膜に不純物を注入して薄膜トランジスタを形成する注入工程とを含む薄膜半導体装置の製造方法において、前記注入工程は、該不純物を含むドーパントガスの希釈ガスに対する混合比が0.1%未満に調製された原料ガスをイオン化し、そのまま質量分離をかけずに電界加速して該半導体薄膜に照射するイオン注入工程を含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 29/78 616 A ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 616 L