特許

J-GLOBAL ID：200903072293065256

セラミックスラドン放出線源とその製造方法

発明者： 小泉 彰 ,  山田 裕司 ,  下 道國 ,  長谷川 良雄 ,  戸祭 智 ,  蓼沼 克嘉
出願人/特許権者： 科学技術庁放射線医学総合研究所長 ,  株式会社化研 ,  小泉 彰 ,  山田 裕司 ,  下 道國
代理人 (1件)： 北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144520
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327457
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【課題】 高濃度のラドンガスを長期にわたって安定して放出することができ、しかも取り扱いが容易で、耐水性の高いセラミックスラドン放出線源を得る。【解決手段】 セラミックスラドン放出線源は、多孔質セラミックスからなるセラミックス担体に水に不要なラジウム塩が定着されている。このようなセラミックスラドン放出線源は、多孔質セラミックスからなるセラミックス担体を得る第一の工程と、このセラミックス担体に放射性ラジウム溶液を含浸する第二の工程と、セラミックス担体中に放射性ラジウム塩を析出させる第三の工程と、この放射性ラジウム塩を高温で熱処理することにより、水に不溶なラジウム塩を焼結させセラミックス担体に定着させる第四の工程とを経ることにより製造する。

請求項（抜粋）：

放射性ラドンガスを放出するラドン放出線源であって、多孔質セラミックスからなるセラミックス担体に水に不溶な放射性ラジウムが定着されていることを特徴とするセラミックスラドン放出線源。

IPC (4件)：

C04B 41/85 ,  C04B 35/565 ,  C04B 41/89 ,  G21G 4/06

FI (5件)：

C04B 41/85 C ,  C04B 41/89 K ,  G21G 4/06 ,  C04B 35/56 101 X ,  C04B 35/56 101 Y

Fターム (13件)：

4G001BA25 ,  4G001BA77 ,  4G001BA81 ,  4G001BB22 ,  4G001BB25 ,  4G001BB85 ,  4G001BC22 ,  4G001BC32 ,  4G001BC33 ,  4G001BC71 ,  4G001BD00 ,  4G001BD36 ,  4G001BE35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-060991
  
• 特開昭50-114415