特許

J-GLOBAL ID：200903072295646787

GaN膜及びGaN膜形成方法

発明者： 長山 昭 ,  尾鍋 研太郎
出願人/特許権者： 日本無線株式会社 ,  尾鍋 研太郎
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188647
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015442
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 立方晶GaN膜を容易に形成する。【解決手段】 AsH3とTMGを導入してGaAs基板上にGaAsエピタキシャル層を形成し(プロセスA)、DMHyとTMGを導入してGaNバッファ層を形成する(プロセスB)。GaNバッファ層を加熱して成長させる過程において、AsH3を導入し(プロセスC)、その後DMHyとTMGを導入してGaN膜を形成する。アルゴンを含むガスをプロセスCにおいて導入することで、安定な六方晶GaNの形成を抑制し、準安定な立方晶GaNを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にGaN薄膜を形成する方法であって、V属原料ガスとIII属原料ガスを導入することにより半導体基板上にGaNバッファ層を形成するバッファ層形成ステップと、前記GaNバッファ層を加熱し、前記III属原料ガスの導入を停止するとともにAsを含むガスを導入して前記GaNバッファ層上にGaNエピタキシャル層を形成すべくGaNエピタキシャル層成長最適温度まで昇温する加熱ステップと、 前記加熱ステップ後前記V属原料ガスとIII属原料ガスを導入することにより前記GaNバッファ層上にGaNエピタキシャル層を形成するGaN層形成ステップと、を有することを特徴とするGaN膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34

Fターム (33件)：

4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030FA04 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF04 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE12 ,  5F045EK02 ,  5F045HA16