特許

J-GLOBAL ID：200903072297346128

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 富男 ,  村上 元
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257819
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082721
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 外部抵抗分、熱抵抗を抑制したMOSFETの製法を提供する。【解決手段】 MOSFET回路が作り込まれたペレット10のドレイン用電極パッド21はヘッダ41に高融点半田によって接続し、ペレット10のゲート用電極パッド19およびソース用電極パッド20はインナリード36、37に低融点半田の半田バンプからなる接続部25、26によって接続する。ソース用電極パッド20はソース用インナリード37に複数個の接続部26で接続する。【効果】 ゲート電極、ソース電極を各インナリードに各接続部で直接的に接続することにより、ワイヤによる電気接続に比べて外部抵抗分を低減できる。ソース電極をインナリードに複数個の接続部で接続することにより外部抵抗分を低減できる。ヘッダとインナリード群とは別体であるため、インナリードとヘッダに最良の材質を使用でき、製品の性能を向上できる。

請求項（抜粋）：

電子回路要素が作り込まれて小形の平板形状に形成された半導体ペレットが準備される工程と、複数本のインナリードが連結されたリードフレームが準備される工程と、熱伝導性の良好な材料が用いられて前記半導体ペレットよりも大きい形状に形成されたヘッダが準備される工程と、前記ヘッダに前記半導体ペレットが電子回路要素を作り込まれた側と反対側の主面を結合される工程と、前記各インナリードが前記半導体ペレットにインナリード側または半導体ペレット側のバンプによって形成された接続部により電気的かつ機械的に接続される工程と、前記ヘッダが結合され前記インナリード群が接続された半導体ペレット、インナリード群およびヘッダの一部を樹脂封止する樹脂封止体が成形される工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/48 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306827   出願人：ローム株式会社