特許
J-GLOBAL ID:200903072298273868

カルコゲン層の高スループット印刷および金属間化合物材料の使用

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-556559
公開番号(公開出願番号):特表2009-528680
出願日: 2007年02月23日
公開日(公表日): 2009年08月06日
要約:
本発明は、グループIB-IIIA-カルコゲニド化合物の膜を形成するために、前駆体材料を高スループットで印刷する方法と装置について開示している。一実施形態では、本方法は、前駆体層を基板上に形成する工程を含み、この前駆体層は1つまたは複数の個別の層から構成されることができる。こられの層は、1つ以上のグループIBの元素および2つ以上のグループIIIAの元素を含有する、少なくとも1つの第一層と、元素状のカルコゲン粒子を含有する、少なくとも1つの第2層を含むことができる。さらに、前駆体層を、カルコゲン粒子を溶解し、カルコゲン粒子が前駆体層中の1つ以上のグループ1BおよびIIIAの元素と反応するのに十分な温度まで加熱することにより、グループIB-IIIA-カルコゲニド化合物の膜が形成される。ここで、前駆体層中の粒子の少なくとも一部は金属間粒子であり、金属間粒子は少なくとも1つのグループIB-IIIA金属間合金相を含んでいる。また、別の実施形態では、本方法は、ナノ粒子および/またはナノ小球および/またはナノ小滴を混合してインクを作製し、基板の上にインクを付着させ、余剰のカルコゲンを融解し、カルコゲンをグループIBおよびグループIIIAの元素および/またはカルコゲニドと反応させて、稠密な膜を形成する工程を含んでいる。
請求項(抜粋):
基板の上に前駆体を形成する工程と、 吸収層を形成するために1つ以上のステップで前記前駆体を反応させる工程とを備える方法。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 E
Fターム (4件):
5F051AA10 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29

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