特許

J-GLOBAL ID：200903072298640526

防汚層の形成方法

発明者： 真子 輝明 ,  小野 洋介
出願人/特許権者： 旭化成ケミカルズ株式会社
代理人 (4件)： 鳴井 義夫 ,  清水 猛 ,  伊藤 穣 ,  武井 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128716
公開番号（公開出願番号）：特開2008-284408
出願日： 2007年05月15日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】多量の有機溶剤や界面活性剤を使用することなく、耐汚染性、密着性、耐水性、耐溶剤性に優れた防汚層を形成する方法を提供すること。【解決手段】被処理基材上の少なくとも片面に防汚層を形成する方法であって、該防汚層を形成する前に該被処理基材上の少なくとも片面を前処理し、この前処理した表面にコロイダルシリカ(A)及び/又は重合体エマルジョン(B)からなる防汚層を成膜することを特徴とする防汚層の形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

被処理基材上の少なくとも片面に防汚層を形成する方法であって、該防汚層を形成する前に該被処理基材上の少なくとも片面を前処理し、この前処理した表面にコロイダルシリカ(A)及び/又は重合体エマルジョン(B)からなる防汚層を成膜することを特徴とする防汚層の形成方法。

IPC (9件)：

B05D 5/00 ,  C09D 1/00 ,  C09D 201/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D 5/08 ,  C09D 5/02 ,  C09C 1/30 ,  C09C 3/12 ,  B05D 7/24

FI (9件)：

B05D5/00 H ,  C09D1/00 ,  C09D201/00 ,  C09D7/12 ,  C09D5/08 ,  C09D5/02 ,  C09C1/30 ,  C09C3/12 ,  B05D7/24 303B

Fターム (26件)：

4D075BB48X ,  4D075BB49X ,  4D075BB76X ,  4D075BB77X ,  4D075BB85X ,  4D075CA34 ,  4D075DB31 ,  4D075EA13 ,  4D075EB22 ,  4D075EC03 ,  4J037AA18 ,  4J037CA23 ,  4J038CG141 ,  4J038CH031 ,  4J038CH041 ,  4J038CH121 ,  4J038CH141 ,  4J038CH171 ,  4J038HA446 ,  4J038JC30 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038NA03 ,  4J038NA04 ,  4J038NA05 ,  4J038NA12