特許
J-GLOBAL ID：200903072300369100

半導体装置及び表示装置

発明者：
松本 昭一郎

松本 昭一郎 について

, 
佐野 景一

佐野 景一 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-102591
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173154
出願日： 2002年04月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 被駆動素子に安定して電力供給可能な構成の実現。【解決手段】 マトリクス状に配置された各画素は、有機EL素子50、第1TFT10、第2TFT20、保持容量Cs、リセット用の第3TFT30を備え、第1TFT10は、ゲート信号に応じてデータ信号を取り込み、第2TFT20は駆動電源ラインVLにドレイン、有機EL素子50にソースが接続され、データ信号をゲートに受けて駆動電源Pvddから有機EL素子50への供給電流を制御する。保持容量Csの第1電極7は第2TFT20のゲート、第2電極8は第2TFT20のソース及び有機EL素子に接続され、第2TFT20のVgsを保持する。第3TFT30は保持容量Cs充電時に第2電極電位を固定する。
請求項（抜粋）：
選択信号をゲートに受けて動作し、データ信号を取り込むスイッチング用薄膜トランジスタと、駆動電源にドレインが接続され、被駆動素子にソースが接続され、前記スイッチング用薄膜トランジスタから供給されるデータ信号をゲートに受けて、前記駆動電源から前記被駆動素子に供給する電力を制御する素子駆動用薄膜トランジスタと、第1電極が前記スイッチング用薄膜トランジスタと前記素子駆動用薄膜トランジスタの前記ゲートとに接続され、第2電極が前記素子駆動用薄膜トランジスタのソースと前記被駆動素子との間に接続され、前記データ信号に応じて前記素子駆動用薄膜トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量と、前記保持容量の第2電極の電位を制御するためのスイッチ素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 642 ,  G09G 3/30 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 642 A ,  G09G 3/30 J ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 Z
Fターム (48件)：
3K007AB02 ,  3K007AB04 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007GA02 ,  3K007GA04 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080CC03 ,  5C080DD05 ,  5C080DD22 ,  5C080DD29 ,  5C080EE19 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C094AA04 ,  5C094AA07 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HL03 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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