特許

J-GLOBAL ID：200903072304190414

半導体装置とその製造方法

発明者： 阿部 孝詩
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265067
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125062
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のパッケージ構造、基盤の裏面に外部端子となる半田ボールをマトリックス状に配置したボールグリッドアレイ(BGA)構造に於いて、トランスファモールド材の成形収縮等、何らかの外的圧力がかかることにより絶縁性基板の外周が反っていてもマザーボードに対して安定した半田付けを提供する。【構成】絶縁性基板からの半田ボール高さを変えた半田ボール群を形成する。また、半田ボールの高さをマトリックス外側ほど高くする。半田ボールの高さを変える手段として、半田ボール群ごと半田の供給量を変え、マトリックスの外側ほど半田の供給量を多くする。或いは半田ボール群ごと半田ボールを搭載するラウンドのサイズを変え、マトリックスの外側ほどラウンドのサイズを小さくする。【効果】半田ボールの頂点はほぼ同一平面上にあり、ボールグリッドアレイをマザーボードに搭載したときのリフロー半田付け接合の確実性は著しく向上する。

請求項（抜粋）：

回路パターンを有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第一面に搭載し前記回路パターンと電気的に接続した半導体素子と、前記絶縁性基板の一部と前記半導体素子とを封止した樹脂封止部と、前記絶縁性基板の第二面にマトリックス状に配置し前記回路パターンと導通させた複数の半田ボールとを有する半導体装置であって、前記複数の半田ボールは少なくとも第一の半田ボール群と、前記第一の半田ボール群と、前記絶縁性基板からの高さが異なる第二の半田ボール群とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/50