特許

J-GLOBAL ID：200903072315452992

フォトマスクパターンの形成方法およびネガ型感光性樹脂の露光方法ならびに基板

発明者： 西亀 正志 ,  松山 治彦 ,  吉本 光雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134549
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335196
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 ネガ型感光性樹脂の露光時におけるフォトマスク上の異物により発生するピンホールの低減を図り、パターニング信頼性を向上する。【構成】 フォトマスク1上に付着することが想定される異物4の少なくとも最大投影長さ以上を、少なくとも一方向に所望の図柄を拡大したパターンを有するフォトマスク設計を行い、このフォトマスク1を用いて、基板8との位置合わせをして一度目の露光を行い、その後、前記フォトマスク1を該フォトマスク上に付着することが想定される異物4の少なくとも最大投影長さ以上を、少なくとも一方向ずらして二度目の露光を行う。【効果】 基板に対する位置決めが一度だけで済む高スループットを実現し、感光性樹脂の露光時におけるマスク上の異物により発生するピンホールの低減を図り、パターニング信頼性を向上し、基板のエッチング不良を低減する。

請求項（抜粋）：

フォトマスクのパターンを基板上のネガ型感光性樹脂に転写するもので、前記フォトマスクと前記基板との相対位置を異ならせて複数回露光するフォトマスクパターンの形成方法において、前記フォトマスク上に付着することが想定される異物の少なくとも最大投影長さ以上を、少なくとも一方向に所望の図柄を拡大したパターンを有することを特徴とするフォトマスクパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 301 P