特許
J-GLOBAL ID：200903072323512376
半導体装置の表面処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359328
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196473
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 Alを含むIII-V 族化合物半導体基板の表面の酸化膜を除去して清浄な結晶表面を得る表面処理方法を提供する。【構成】 Alを含むIII-V 族化合物半導体からなる結晶基板12の表面を酸化剤を含む薬液でエッチングして自然酸化膜13を除去した後、薬液中の酸化剤の作用で先のエッチングで露出した基板表面に酸化膜14を再形成した後、直ちに、リン酸水溶液でこの酸化膜14を除去するようにした半導体装置の表面処理方法。
請求項（抜粋）：
Alを含むIII-V 族化合物半導体からなる結晶基板の表面処理において、酸化剤を含む薬液で酸化膜を含む基板表面層をエッチングした後、薬液中の酸化剤の作用で先のエッチングで露出した基板表面に酸化膜を再形成後、直ちに、リン酸水溶液でこの酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 341
