特許
J-GLOBAL ID：200903072323710470
高耐圧ダイオード及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266481
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130318
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 降伏電圧設計が容易で降伏後の動作抵抗が低い高耐圧ダイオードを提供する。【構成】 P型半導体基板11上にカソードとして働くN領域12を設け、その表面に半導体基板11と同電位のP領域15を追加したことにより、アノード電極(A)、カソード電極(K)間に逆方向電圧を印加した時、N領域12と半導体基板11とのPN接合部からN領域12内に空乏層が拡がると共に、P領域15は半導体基板11と同電位であるため、P領域15とN領域12とのPN接合部からも空乏層がN領域12内に拡がって双方の空乏層がつながる。更に、より高い電圧が印加されると、二つの上記空乏層が接触(ピンチオフ)しているので、P領域15の長さによって所定の降伏電圧が決まり、それはN領域12の不純物濃度に影響されない。また、二つの空乏層が拡がるため、ピンチオフする範囲において、従来よりN領域12の不純物濃度を濃く、深さを深くできる。このため、降伏後の動作抵抗が低減できる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板上に形成した他導電型第一領域と、この第一領域に跨がって形成した高濃度一導電型第二領域と、前記第一領域内に前記半導体基板と接続するように形成した一導電型第三領域と、この第三領域を前記第二領域とで挟むように前記第一領域内に形成した高濃度他導電型第四領域とを具備する高耐圧ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/91 D
, H01L 29/78 301 K
