特許

J-GLOBAL ID：200903072325945644

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 梶 成彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-076345
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304177
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】 低誘電率化を実現するとともに、製造工程において膜剥離などの不良を発生することのない有機絶縁膜材料を用いた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基材301上に無機膜302を形成する工程と、無機膜302上にシリコンを含有する中間膜303を形成する工程と、中間膜303上にフッ素を含有する有機膜304を形成する工程とを有する。有機膜304はフッ素化アリレン膜とすることができる。また、無機膜302は、SiO2膜、SiN膜、SiC膜、SiOC膜およびSiCN膜よりなる群から選ばれるいずれか1の膜とすることができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基材上に形成された無機膜と、 前記無機膜上に形成されたシリコンを含有する中間膜と、 前記中間膜上に形成されたフッ素を含有する有機膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/312 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/312 N ,  H01L21/90 M ,  H01L21/90 S

Fターム (36件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AA02 ,  5F058AA08 ,  5F058AC05 ,  5F058AD06 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02