気体反応によるCVDチャンバ内の異物の除去

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143468
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060951
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】フッ素含有ガスを用いて堆積工程の間にCVDチャンバの環境を調整することができ、次いでチャンバ内に残留するフッ素の残留物を除去し、同時にチャンバ内の残留微粒子が基板上に落下しないことを確実にし得る処理方法を提供する。【解決手段】化学堆積チャンバ内の環境を調整するために多数のステップを有する処理が用いられ、調整は、化学堆積チャンバの洗浄後いに及び後続の堆積処理の間に、水素プラズマを用いてフッ素の残留物をチャンバから除去し、次いでチャンバ内に固体化合物を堆積してチャンバ内に残留する粒子を包封することで行われる。

請求項（抜粋）：

堆積チャンバを洗浄する方法であって、前記チャンバ内の異物とハロゲンガスを反応させ、それによってハロゲン反応生成物を生成するステップと、前記ハロゲン反応生成物を除去するステップと、前記チャンバ内で水素プラズマを形成し、水素を任意の残留ハロゲンガスと反応させて水素反応生成物を生成するステップと、前記水素反応生成物を除去するステップと、前記チャンバ内でシランプラズマを形成し、前記チャンバ内に残留する異物を前記シランプラズマに包封させるステップとを含む方法。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/44 J , H01L 21/205

Fターム (23件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030KA09 , 4K030KA47 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC12 , 5F045BB14 , 5F045EB03 , 5F045EB06 , 5F045EC05 , 5F045EE13 , 5F045EH13

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