特許

J-GLOBAL ID：200903072328870270

シリコンの製造方法

発明者： 井上 裕司 ,  若松 智
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-202612
公開番号（公開出願番号）：特開2003-020216
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 反応排ガスを冷却するとともに、生成したシリコン液滴を汚染することなしに冷却して連続的に製造する方法を提供すること。【解決手段】 シリコンの融点以上に加熱された加熱体を備えた反応器内にクロロシラン類と水素とを供給し、該加熱体表面でクロロシラン類と水素を反応せしめてシリコンを生成するに際し、該加熱体表面を離れてシリコン液滴が落下する反応器空間に液状クロロシラン類を導入しつつ上記反応を実施するシリコンの製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコンの融点以上に加熱された加熱体を備えた反応器内にクロロシラン類と水素とを供給し、該加熱体表面でクロロシラン類と水素を反応せしめてシリコンを生成するに際し、該加熱体表面を離れてシリコン液滴が落下する反応器空間に液状クロロシラン類を導入しつつ上記反応を実施することを特徴とする、シリコンの製造方法。

Fターム (8件)：

4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH07 ,  4G072HH08 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ01 ,  4G072MM01 ,  4G072RR04