特許
J-GLOBAL ID：200903072331472340

非晶質薄膜の製造方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
角 博文

角 博文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-138407
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316146
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 微細化したデバイスについて有利に適用でき、例えば薄いTi等を安定して形成できる非晶質薄膜の製造方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ?@高融点金属(例えばチタン)を成膜する際、該高融点金属の成膜膜厚を薄くする(例えばチタンであれば20nm未満とする)ことによって、該薄膜Aを非晶質化する。?A高融点金属を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、該高融点金属の成膜の際膜厚を薄くすることによって該薄膜を非晶質化する。
請求項（抜粋）：
高融点金属を成膜する際、該高融点金属の成膜膜厚を薄くすることによって該薄膜を非晶質化することを特徴とする非晶質薄膜導膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
審査官引用 (4件)
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