特許
J-GLOBAL ID：200903072332148903
光露光用マスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000176
公開番号（公開出願番号）：特開平5-181257
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 簡単に作製できる上、256メガビットDRAMに必要とされる最小線幅0.2μmまでの微細加工を行うことができる光露光用マスクを提供する。【構成】 露光光に対して透明な基板11上に、上記露光光に対して吸収を生ずる半透明材料からなる位相シフト膜12を設ける。位相シフト膜12の上記露光光に対する透過率を40〜90%に設定する。
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明な基板上に、位相シフト膜を有する光露光用マスクにおいて、上記位相シフト膜は、上記露光光に対して吸収を生ずる半透明材料からなることを特徴とする光露光用マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
