特許

J-GLOBAL ID：200903072333802003

MOSトランジスタ及びその製造方法

発明者： ギョン・セン・キム ,  ズン・ヒ・リム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018850
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221305
出願日： 1994年01月20日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 パンチスルー特性を向上させ、ホットキャリヤ効果を減少させた改善されたLDD MOSトランジスタの製造方法を提供することにある。【構成】 チャネル領域を有する中心部が湾曲し、その中心部を除いた外縁部が偏平な表面を有する第1導電型のシリコン基板と、シリコン基板の湾曲した表面上に形成された薄膜のゲート酸化膜と、シリコン基板の偏平な表面上に形成され前記ゲート酸化膜よりも厚い酸化膜と、湾曲した部分に形成されたゲートと、ゲート上のキャップ酸化膜と、前記ゲートと完全にオーバラップされ前記シリコン基板の湾曲した表面のチャネル領域に隣接した表面に形成された第2導電型の低濃度のソース/ドレーン領域と、前記シリコン基板の偏平な表面に形成された第2導電型の高濃度のソース/ドレーン領域と、前記低濃度のソース/ドレーン領域を覆うようにシリコン基板に形成された第1導電型の不純物領域と、を含むMOSトランジスタを提供する。

請求項（抜粋）：

チャネル領域(50)を有する中心部が底に向かって湾曲し、その中心部を除いた外縁部が偏平な表面を有する第1導電型のシリコン基板(51)と、シリコン基板(51)の前記湾曲した表面上に形成された薄膜のゲート酸化膜(62)と、シリコン基板(51)の偏平な表面上に形成され前記ゲート酸化膜(62)よりも厚い酸化膜(52)と、上面は偏平であり底面は凸部構造を有し、前記ゲート酸化膜(62)上に形成されたゲート(63)と、ゲート(63)上に形成された厚膜のキャップ酸化膜(64)と、前記ゲート(63)と完全にオーバラップされ前記シリコン基板(51)の湾曲した表面の、チャネル領域(50)に隣接した表面に形成された第2導電型の低濃度のソース/ドレーン領域(60)と、前記低濃度のソース/ドレーン領域(60)と隣接され、前記シリコン基板(51)の偏平な表面に形成された第2導電型の高濃度のソース/ドレーン領域(65)と、前記低濃度のソース/ドレーン領域(60)を覆うようにシリコン基板(51)に形成された第1導電型の不純物領域(61)と、を含むことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 X