特許
J-GLOBAL ID：200903072334227894
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189178
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056054
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 高品質な結晶性のクラッド層を得ることができ、結晶を高品質に保ったまま格子整合した素子構造を容易に形成することができる。【構成】 活性層4,12,15,18がクラッド層3,5で挟まれた半導体発光装置において、該クラッド層3,5を結晶構造がウルツァイト型のAl<SB>x </SB>Ga<SB></SB><SB>1-x </SB>P<SB>y </SB>N<SB>1-y </SB>(但し、0<x≦1とし、かつ0<y≦0.2とする)混晶から形成してなる。
請求項（抜粋）：
活性層(4,12,15,18)がクラッド層(3,5)で挟まれた半導体発光装置において、該クラッド層(3,5)を結晶構造がウルツァイト型のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x </SB>P<SB>y </SB>N<SB>1-y </SB>(但し、0<x≦1とし、かつ0<y≦0.2とする)混晶から形成してなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
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