特許

J-GLOBAL ID：200903072335084850

ダイヤモンドヘテロ接合整流素子

発明者： 斉藤 公続 ,  宮田 浩一 ,  カルヤンクマール・ダス
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315611
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094527
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 耐熱性と整流特性が良好であると共に、低コストで製造することができ、一括して大量生産可能なダイヤモンドヘテロ接合整流素子を提供する。【構成】 単結晶シリコン基板4の上に、アンドープ高配向性ダイヤモンド薄膜13が形成されており、この絶縁性ダイヤモンド薄膜13の上にp型高配向性ダイヤモンド薄膜14が形成されている。この半導体ダイヤモンド薄膜14の上に、オーミック電極12が形成され、n型β-SiC層8を介してオーミック電極15が形成されている。この高配向性ダイヤモンド薄膜13、14は、気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜であって、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、その結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を同時に満足する高配向性ダイヤモンド薄膜である。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド薄膜と炭化硅素薄膜又はシリコン薄膜とを有するヘテロ接合整流素子において、前記ダイヤモンド薄膜が、気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜であって、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、その結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を同時に満足する高配向性ダイヤモンド薄膜であることを特徴とするダイヤモンドヘテロ接合整流素子。

IPC (5件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/04 ,  H01L 29/165

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/165