特許
J-GLOBAL ID：200903072341594371
高性能半導体製造用の排気システムおよびその制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339546
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152217
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 腐食性ガスを真空ポンプで排出する高性能半導体製造装置用の信頼性の高い排気システムを提供する。【構成】 起動時には、吸込側ゲートバルブ12を閉、吐出側仕切弁32を開とし、窒素ガス供給装置に継がっているバルブ13から窒素ガスを真空ポンプ20の吸込口側に供給しガスパージをした後に、真空ポンプを起動し、吸込側ゲートバルブを開き、チャンバーの排気を行う。停止時には、吐出側ガスパージバルブ34を開き、吐出側配管31を窒素ガスパージし、吸込側ゲートバルブを閉とし、真空ポンプで吸込側配管11を真空引きし、窒素N2ガスパージし、真空ポンプ及び配管内からプロセスガスを排気し窒素ガスを充填しておく。真空ポンプ停止後は、窒素ガス供給装置から真空ポンプ吸込口に供給する窒素ガスを吐出側仕切弁32を閉じ、吐出側捕助電磁弁33を開にしたパージガスバイパスシステムにより排出し、停止期間中供給する。
請求項（抜粋）：
一端が腐食性ガスを用いるチャンバーに接続された吸込側配管と、吸込側配管の他端に接続されチャンバーから吸気したガスを、吐出側配管を経て排気する真空ポンプとからなる排気システムにおいて、前記吸込側配管に設けられた吸込側ゲートバルブと、吸込側ゲートバルブと前記真空ポンプの吸込口との間で、前記吸込側配管に窒素ガスを供給可能にしている窒素ガス供給装置と、前記吐出側配管に設けられた吐出側仕切弁と、吐出側仕切弁と前記真空ポンプの吐出口との間で、前記吐出側配管からのガスを排気可能にしている吐出側ガスパージバルブと、前記吐出側配管に接続され、吐出側仕切弁をバイパスして気体を通過可能とさせるパージガスバイパス装置とを有することを特徴とする排気システム。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
