特許

J-GLOBAL ID：200903072343727158

半導体装置およびその製造方法並びにそれに用いる金属-樹脂積層体

発明者： 堀田 祐治 ,  大泉 新一 ,  近藤 誠司
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 倉内 義朗 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035097
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232477
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 封止樹脂の表面を金属箔で覆うことにより耐湿性を高くした半導体装置において、かつその耐久性・信頼性を向上させるとともに、そのような半導体装置を簡単な工程のもとに高歩留りで製造することのできる製造方法、並びにその方法に用いるのに適した金属-樹脂積層体を提供する。【解決手段】 半導体装置の主表面を覆う金属箔4として、厚さ10〜40μmのNi-鉄合金を用い、封止樹脂6の平均線膨張係数を1×10-5〜2.5×10-5/°Cとして、金属箔4の両面にはそれぞれ耐熱性有機材料層3および5を設けた構造とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子とリードフレームの一部が樹脂で封止された半導体装置において、装置の少なくとも一方の主表面の最外層に耐熱性有機材料層が設けられ、その内側に厚さ10〜40μmのニッケル-鉄合金からなる金属箔が設けられ、その金属箔が更にその内側に設けられた耐熱性有機材料層を介して、20〜200°Cにおける平均線膨張係数が1×10-5〜2.5×10-5/°Cの封止樹脂に固着されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56

FI (3件)：

H01L 23/30 B ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/30 D