特許
J-GLOBAL ID：200903072346912924
固体撮像装置及びこれを用いた撮像システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088365
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284714
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 微細化及び多画素化ができ、解像度が向上した固体撮像装置及びこれを用いた撮像システムを提供する。【解決手段】 第1導電型半導体基板24上に各電導層の端面が半導体基板と所定角度をなすように、第1の第2電導型層13、第1の第1導電型層22、第2の第2導電型層12、第2の第1導電型層21、及び第3の第2導電型層11を積層し、かつ、電位のポテンシャルが電荷転送シフトレジスタ64を最深として、これに近づくに従い順次深くなるように各電導層及び半導体基板24の不純物濃度を設定し、半導体基板並びに端面で露出した第1及び第2の第1導電型層上に転送ゲート53、52及び51を形成し、各感光領域で光電変換された信号電荷をこれらの転送ゲートの開閉のみで電荷転送シフトレジスタ64へ移送することにより、1つの電荷転送部で1つの受光部列の電荷転送を実現し、集積度を高める。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に第1の第2電導型層、第1の第1導電型層、第2の第2導電型層、第2の第1導電型層、及び第3の第2導電型層が積層され、これらの端面が前記半導体基板と所定角度をなした積層構造と、前記半導体基板並びに前記端面で露出した第1及び第2の第1導電型層上に形成された第1、第2及び第3の転送ゲートと、これらの転送ゲートを介して転送された信号電荷を転送する電荷転送部とを備えた固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H04N 5/335
, H04N 9/07
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
, H04N 5/335 P
, H04N 9/07 A
