特許

J-GLOBAL ID：200903072349298461

化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたトランジスタ

発明者： 土屋 忠厳 ,  木原 倫夫
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240379
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050758
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 正孔をキャリアとする化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたトランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル層5の下部に、キャリア供給層6と線膨張係数が等しいか大きいバッファ層7を十分な厚さで挿入することにより、キャリア供給層6に生じる引っ張り歪を緩和し、ヘテロ界面への電子の誘起を押さえて2次元正孔ガスを発生させることができ、この結果、正孔をキャリアとするp型FETを実現することができる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に、GaN、AlGaN及びAlNのうち少なくともAlGaNを有するバッファ層を形成し、該バッファ層の上にGaN及びp型AlGaNのヘテロ接合を形成し、上記バッファ層のAlGaN層の膜厚をエピタキシャルウェハ全体におけるGaN層の膜厚より厚くしたことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

Fターム (27件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ06 ,  5F045EH11 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ03 ,  5F102GQ09 ,  5F102HC01