特許
J-GLOBAL ID：200903072352530014
高周波半導体装置用基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280219
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139503
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 その上下の両面を高周波半導体チップの実装面にして、複数の高周波半導体チップを高密度に実装することができる高周波半導体装置用基板を得る。【構成】 その厚さ方向の中間部にグランド層2を挿設し、その上下両面に当該グランド層2とでマイクロストリップ線路を構成する信号線路パターン3a,3bを設けたTABテープ本体1aの所定領域に、信号線路パターン3a,3bに接続して,当該信号線路パターン3a,3b間における高周波信号の伝送を可能とするコンタクトスルーホール5を、これがグランド層2と電気的に分離されるように形成する。
請求項（抜粋）：
誘電体物質からなる基板本体と、上記基板本体の所定領域に形成されたスルーホールと、上記基板本体の上記スルーホールの形成領域と,当該スルーホールの周囲の基板領域とを除く基板領域の全域にて、その厚さ方向の中間部に挿入されて設けられたグランド層と、少なくとも上記スルーホールの内壁を被覆するように設けられ、上記基板本体の上面及び下面の各々の所定領域に形成された高周波伝送用線路の信号線路間を相互に接続する高周波伝送用スルーホール配線とを備えたことを特徴とする高周波半導体装置用基板。
IPC (5件)：
H01P 3/08
, H01L 21/60 321
, H01P 1/04
, H01P 3/02
, H05K 3/46
