特許
J-GLOBAL ID：200903072353009229
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331077
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166762
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 従来に較べてさらに高い選択比を得ることができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的とする薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方法を提供する。【構成】 排気機構15で真空排気を実施することにより、処理チャンバ2内を所定の真空度に保持しつつ、上部電極3の多数の細孔から半導体ウエハ5に向けて、Ar供給源7、CHF3 供給源8、CF4 供給源9、CO供給源10a、10bからのガスを供給し、これとともに、高周波電源13から電力を供給してエッチング処理を行う。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内から真空排気を行うとともに、所定の処理ガスを供給し、該処理チャンバ内を所定圧力の処理ガス雰囲気とし、前記処理チャンバ内に設けられた平行平板電極間に交流電力を供給してプラズマを発生させ、前記平行平板電極間に設けられた被処理基板のエッチングを行うエッチング方法において、前記処理ガスは、少なくともフッ化炭素系ガスと、一酸化炭素ガスとを含むガスであることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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