半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-094650
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297860
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】金属ベース上にはんだ層を介して金属回路板を備えた絶縁基板を積層し、その上にはんだ層を介してシリコンチップを積層した積層体を、短時間のはんだ付け処理によって接合し、はんだ接合層中の気泡の少ない半導体装置を得ること。【解決手段】金属ベース、はんだ板、絶縁基板、はんだ板およびシリコンチップからなる積層体を減圧炉内に設置し、炉内を真空排気後、炉内を正圧の水素雰囲気にして積層体の各部材の表面を還元し、はんだの加熱溶融後、炉内を真空雰囲気にしてはんだ中の気泡を除去し、炉内を正圧の水素雰囲気にして、はんだ中の気泡の移動により生じたトンネル状の孔を塞ぎ、均一なはんだフィレット形状を得る。その後、急冷してはんだ組織を微細化することにより、絶縁基板と金属ベースとの接合に供されたはんだのクリープ速度を速くし、速やかに金属ベースの反りを元に戻す。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの被接合部材間にはんだ板を介した積層体を減圧炉内に投入する準備工程と、前記準備工程後、前記減圧炉内を真空排気する一次減圧工程と、前記一次減圧工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にして前記積層体の各部材の少なくとも被接合表面を還元する一次還元工程と、前記一次還元工程中、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気に保持したまま接合温度まで加熱して前記はんだ板を溶融し、その溶融時にはんだ融液中に生じた気泡に水素ガスを充填して活性化させる加熱工程と、前記加熱工程後、接合温度に保持したまま前記減圧炉内を再び真空雰囲気にしてはんだ融液中の気泡を除去する気泡除去工程と、前記気泡除去工程後、接合温度に保持したまま再び前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にして、前記気泡がはんだ融液中を移動する際に前記はんだ融液中に生じたトンネル状の孔を塞ぐとともに、はんだフィレット形状を均一な形状とする二次還元工程と、前記二次還元工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にしたまま前記積層体を急冷する冷却工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/52 , B23K 1/00 330 , B23K 1/008 , B23K 31/02 310 , B23K 31/02 , B23K101:40

FI (6件)：

H01L 21/52 C , B23K 1/00 330 E , B23K 1/008 B , B23K 31/02 310 B , B23K 31/02 310 J , B23K101:40

Fターム (6件)：

5F047AA02 , 5F047AA19 , 5F047BA05 , 5F047BA06 , 5F047BB05 , 5F047FA63

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭51-045980
電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-319745 出願人：株式会社日立製作所
半田付け装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-041190 出願人：神港精機株式会社

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