特許

J-GLOBAL ID：200903072356151042

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 谷口 浩司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335344
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202210
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【構成】 ゲート電極を互いに幅の異なる2層構造とし、上層の幅を下層の幅より小さくする。上記2層構造のゲート電極を形成した後、該電極をマスクとしてソースまたはドレインとなる領域へイオン注入する。好ましくは、ゲート電極を一旦パターニングした後、一方の層の一部を陽極酸化して陽極酸化膜を形成し、該陽極酸化膜のみ除去する事により2層の幅を変える【効果】 被覆性等が向上するので信頼性の高いトランジスタが得られ、かつ、簡単にLDD構造が得られるので安価なトランジスタを提供できる。イオン注入工程が減り、コストを下げることができる。さらに、陽極酸化を用いれば、精度良くLDD構造ができる。さらには、低いイオン注入量である領域すなわちLightly Dopedの領域の直上にゲート電極がある構造すなわちゲートオバーラップ構造ともなり、信頼性の高いトランジスタが再現性よくしかも容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極が互いに幅の異なる2層構造となり、上層の幅が下層の幅より小さくなっていることを特徴とするLDD構造の薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-159730
  
• 特開昭63-016672
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-189334   出願人：シャープ株式会社