特許

J-GLOBAL ID：200903072357289447

強誘電体薄膜製造方法

発明者： 白川 幸彦
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 南條 眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280033
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111107
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 ペロブスカイト相以外の異相部が形成されず、結晶粒径が均一な強誘電体薄膜製造方法を得る。【構成】 350°C〜450°Cに保持されたシリコン基板上にチタン酸ジルコン酸鉛の微結晶薄膜を形成し、この微結晶薄膜を700°Cにおいて約10分間熱処理し、結晶化する。また、チタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を微結晶状態で形成するためにスパッタリング法を用い、その時の基板温度を350°C以上450°C以下とする。

請求項（抜粋）：

基板上に微結晶状態のチタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜を形成し、前記微結晶状態のチタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜を650°C〜800°Cの温度で熱処理して結晶成長を行うことにより、ペロブスカイト結晶構造のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を形成する強誘電体薄膜製造方法。

IPC (4件)：

H01B 3/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108