特許
J-GLOBAL ID：200903072357659600
光デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076222
公開番号（公開出願番号）：特開平8-271940
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 特にプロセス上におけるハンドリングの容易な比較的厚い基板においても、良好な周期微細分極反転構造を均一にかつ再現性良く形成することが可能な光デバイスの製造方法を提供すること。【構成】 単一分域化された非線形強誘電体から成る基板1の一主面に、帯状電極3aと該帯状電極3aの両端が内側に接続されている枠状電極3bとから成る周期電極3を被着形成するとともに、基板1の他の主面に共通電極4を配置し、周期電極3と共通電極4との間に電界を印加することによって基板1に分極反転を生ぜしめるようにした光デバイスの製造方法であって、枠状電極3bの輪郭を円形状もしくは角部が曲状を成す形状としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単一分域化された非線形強誘電体から成る基板の一主面に、帯状電極と該帯状電極の両端が内側に接続されている枠状電極とから成る周期電極を被着形成するとともに、前記基板の他の主面に共通電極を配置し、前記周期電極と前記共通電極との間に電界を印加することによって前記基板に分極反転を生ぜしめるようにした光デバイスの製造方法であって、前記枠状電極の輪郭を円形状もしくは角部が曲状を成す形状としたことを特徴とする光デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/35 505
, G02F 1/37
G02F 1/35 505
, G02F 1/37
